產(chǎn)品

產(chǎn)品描述

WSDD18A4Y1N 產(chǎn)品是單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可充電電池組保護的高集成度解決方案。

WSDD18A4Y1N 包括了先進的功率MOSFET,高精度的電壓檢測電路和延時電路。

WSDD18A4Y1N 具有非常小的DFN2x2-6L 封裝,這使得該器件非常適合應用于空間限制得非常小的可充電電池組應用。

WSDD18A4Y1N 具有過充、過放、過流、短路等所有電池需要的保護功能,并且工作時功耗非常低。

WSDD18A4Y1N 不僅僅為穿戴設備而設計,也適用于一切需要鋰離子或鋰聚合物可充電電池長時間供電的各種信息產(chǎn)品的應用場合。


主要特點


  • 內(nèi)部集成等效20mΩ的先進功率MOSFET

  • 超小封裝DFN2x2-6L

  • 過溫保護OTP

  • 充電過電流保護IIOCC

  • 過放可自恢復功能

  • 三段過流保護

    - 放電過流保護1 IIOV1

    - 放電過流保護2 IIOV2

    - 負載短路保護ISHORT

  • 充電器檢測功能

  • 0V 電池充電功能

  • 延遲時間內(nèi)部設定

  • 防反接功能

  • 高ESD 可靠性能力

  • 高精度電壓檢測

    - 常規(guī)精度:±50mV

  • 低靜態(tài)電流

    - 正常工作電流:3.0μA

    - 待機電流:1.5uA

  • 兼容ROHS 和無鉛標準



規(guī)格書

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WSDD18A4Y1N_datasheet_A0251KB

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